2024/3/28 19:14:55
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1 特性
• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 超小尺寸
– 0.7mm × 0.6mm
• 薄型
– 最大高度为 0.22mm
• 集成型 ESD 保护二极管
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS
2 应用
• 针对负载开关应用进行了优化
• 电池应用
• 手持式和移动类应用
3 说明
此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经 过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用 中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳 位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最 大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
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