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DRV5012AEDMRR_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册

2024/6/21 13:46:10

151

DRV5012AEDMRR

低功耗(低至 3.3μA)、低电压(最高 5.5V)霍尔效应锁存器

 


 

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1 特性

 

• 行业领先的低功耗特性

• 可通过引脚选择的采样率:

– SEL = 低电平:使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz

– SEL = 高电平:使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz

• VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V

• 高磁性灵敏度:±2mT(典型值)

• 可靠磁滞:4mT(典型值)

• 推挽式 CMOS 输出

• 小型纤薄 X2SON 封装

• 运行温度范围:–40°C 至 85°C

 

 

 

 

2 应用

 

• 无刷直流电机传感器

• 增量旋转编码:

– 电机速度

– 机械行程

– 流体测量

– 旋钮转动

– 轮速

• 便携式医疗设备

• 电子锁、电动自行车、电动百叶窗

• 流量计

• 非接触式激活

 

                                              

 

 

3 说明

 

DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数 字锁存器霍尔效应传感器。

 

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时,该器件 会驱动低电压。输出会保持低电平,直到应用北极并且 超出 BRP 阈值,这将使输出驱动高电压。必须交换北 极和南极才能切换输出,且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

 

通过使用内部振荡器,DRV5012 器件对磁场进行采样,并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

 

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作,并采用小型 X2SON 封装。