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CSD13303W1015_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册

2024/5/14 17:00:33

202

CSD13303W1015

采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、20mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

 

 

 

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1特性

 

• 超低接通电阻

• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)

• 小封装尺寸

• 低高度(高度为 0.62mm)

• 无铅

• 符合 RoHS 标准

• 无卤素

• 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装

 

 

 

应用范围

 

• 电池管理

• 负载开关

• 电池保护

                                                       


 

 

说明

 

此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的接通电阻和栅极电荷。