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CSD15571Q2_TI(德州仪器)中文资料_英文资料_价格_PDF手册

2024/7/4 16:30:42

222

CSD15571Q2

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

 



                                                        多技术详情请登录www.mroic.cn

 


 

 

 

特性

 

• 超低Qg和Qgd 2

• 低热阻

• 雪崩级

• 无铅端子镀层

• 符合RoHS标准

• 无卤素

• 小外形尺寸无引线(SON)2mm×2mm塑料封装

 

 

 

 

应用范围

 

• 针对负载开关应用进行了优化

• 存储、平板电脑和手持类器件

• 针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化

• 负载点同步降压转换器

 

                        

 

 

说明

 

NexFET™ 功率MOSFET被设计成在功率转换和 负载管理应用中大大降低功率损耗。小外形尺寸无引 线(SON) 2mm x 2mm封装提供针对封装尺寸的出色 散热性能。