2024/6/24 9:57:59
215
1 特性
• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
– 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
– 高度为 0.2mm
• 集成 ESD 保护二极管
– 额定值 > 4kV HBM
– 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
2 应用
• 针对负载开关应用进行了优化
• 针对通用开关应用进行了优化
• 电池应用
• 手持式和移动类应用
3 说明
这款 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设 计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动 类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
热门型号
热门资讯
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监