2024/5/23 15:03:42
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1 特性
• 超低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 高运行漏极电流
• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
– 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
– 最大高度为 0.35mm
• 集成型 ESD 保护二极管
– 额定值 > 4kV HBM
– 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS
2 应用
• 针对负载开关应用进行了优化
• 针对通用开关应用进行了优化
• 电池应用
• 手持式和移动类应用
3 说明
此 210mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用 。 这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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