商品型号： GBJ2010-F
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： GBJ
商品毛重： 9.95g
商品编号： CY217757
数据手册：
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商品描述： 正向压降（Vf）：1.05V @ 10A 平均整流电流（Io）：20A 反向峰值电压：1000V
数量
价格
1+
￥5.1466
10+
￥5.1239
30+
￥5.1012
100+
￥5.0759
500+
￥5.0506
1000+
￥5.0253
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 整流桥 | |
| 反向峰值电压 | 1000V | |
| 平均整流电流（Io） | 20A |
GBJ2010-F由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,GBJ2010-F价格参考￥5.146600。DIODES(美台)GBJ2010-F封装/规格：GBJ,正向压降（Vf）：1.05V @ 10A 平均整流电流（Io）：20A 反向峰值电压：1000V
手机版：GBJ2010-F
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