商品型号： 1N5818-T
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： DO-41
商品毛重： 0.45g
商品编号： CY174690
数据手册：
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商品描述： 正向压降（Vf）：550mV @ 1A 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：1A 30V,1A，VF=0.875V@3.0A
数量
价格
1+
￥1.142
10+
￥1.1212
30+
￥1.0984
100+
￥1.0756
500+
￥1.0528
1000+
￥1.0264
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 直流反向耐压（Vr） | 30V | |
| 平均整流电流（Io） | 1A | |
| 正向压降（Vf） | 550mV @ 1A |
1N5818-T由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,1N5818-T价格参考￥1.142000。DIODES(美台)1N5818-T封装/规格：DO-41,正向压降（Vf）：550mV @ 1A 直流反向耐压（Vr）：30V 平均整流电流（Io）：1A 30V,1A，VF=0.875V@3.0A
手机版：1N5818-T
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