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PESD3V3V1BCSF-N

商品型号： PESD3V3V1BCSF-N

制造厂商： BORN伯恩半导体

封装规格： DFN0603

商品毛重： 0.00g

商品编号： CY687234

数据手册：在线预览

商品描述：反向关断电压（典型值）：3.3V 击穿电压（最小值）：3.4V 峰值脉冲电流（10/1000us）：9A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：13V VRWM=3.3V Bipolar

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	ESD二极管
反向关断电压（典型值）	3.3V
击穿电压（最小值）	3.4V
极性	Bidirectional
箝位电压	13V

反向关断电压（典型值）：3.3V 击穿电压（最小值）：3.4V 峰值脉冲电流（10/1000us）：9A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：13V VRWM=3.3V Bipolar

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PESD3V3V1BCSF-N由BORN伯恩半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,PESD3V3V1BCSF-N价格参考￥6.542000。BORN伯恩半导体PESD3V3V1BCSF-N封装/规格：DFN0603,反向关断电压（典型值）：3.3V 击穿电压（最小值）：3.4V 峰值脉冲电流（10/1000us）：9A (8/20us) 极性：Bidirectional 箝位电压：13V VRWM=3.3V Bipolar

手机版：PESD3V3V1BCSF-N