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PTD15N10

商品型号: PTD15N10

制造厂商: PUOLOP(迪浦)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.46g

商品编号: CY387708

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥21.28

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道

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PTD15N10由PUOLOP(迪浦)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTD15N10价格参考¥4.256500。PUOLOP(迪浦)PTD15N10封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):30W(Tc) 类型:N沟道

手机版:PTD15N10