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PNM723T30V01

商品型号： PNM723T30V01

制造厂商： Prisemi 芯导

封装规格： SOT-723

商品毛重： 0.06g

商品编号： CY625760

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9Ω @ 1mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	100mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	150mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9Ω @ 1mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道

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PNM723T30V01由Prisemi 芯导设计生产,在芯云购商城现货销售,PNM723T30V01价格参考￥3.403100。Prisemi 芯导PNM723T30V01封装/规格：SOT-723,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9Ω @ 1mA,2.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道

手机版：PNM723T30V01