商品型号: VS6412AE
制造厂商: Vanguard(威兆)
封装规格: PDFN3333
商品毛重: 0.11g
商品编号: CY193986
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):65V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 65V 30A
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封装: 20.2x10x15.5
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 65V | |
类型 | N沟道 |
VS6412AE由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VS6412AE价格参考¥4.124200。Vanguard(威兆)VS6412AE封装/规格:PDFN3333,连续漏极电流(Id)(25°C 时):30A(Tc) 漏源电压(Vdss):65V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:26mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):32W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 65V 30A
手机版:VS6412AE
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