商品型号： HSBG2024
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： DFN1006
商品毛重： 0.01g
商品编号： CY325295
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 0.55A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.7W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | N沟道 |
HSBG2024由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSBG2024价格参考￥1.351400。HUASHUO(华朔)HSBG2024封装/规格：DFN1006,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 0.55A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.7W 类型：N沟道
手机版：HSBG2024
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