商品型号： TDM3412
制造厂商： Techcode(泰德)
封装规格： DFN3x3E-8
商品毛重： 0.19g
商品编号： CY137068
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：双N沟道(半桥) Asy.DN沟道 30V 上管17.5mΩ@4.5V 下管16mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | 双N沟道(半桥) |
TDM3412由Techcode(泰德)设计生产,在芯云购商城现货销售,TDM3412价格参考￥8.138300。Techcode(泰德)TDM3412封装/规格：DFN3x3E-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：20W(Tc) 类型：双N沟道(半桥) Asy.DN沟道 30V 上管17.5mΩ@4.5V 下管16mΩ@4.5V
手机版：TDM3412
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