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T835-600G-TR

商品型号： T835-600G-TR

制造厂商： ST(意法半导体)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 1.92g

商品编号： CY453729

数据手册：在线预览

商品描述：栅极触发电流：35mA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 栅极触发电压：1.3V 断态电压Vdrm：600V 类型：双向可控硅

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	可控硅
通态电流(It (RMS)) (Max)	8A
通态电流 (It (AV)) (Max)	-
断态电压Vdrm	600V
栅极触发电压-Vgt	1.3V
类型	双向可控硅
栅极触发电流-Igt	35mA

栅极触发电流：35mA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 栅极触发电压：1.3V 断态电压Vdrm：600V 类型：双向可控硅

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T835-600G-TR由ST(意法半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,T835-600G-TR价格参考￥7.149700。ST(意法半导体)T835-600G-TR封装/规格：TO-263-2,栅极触发电流：35mA 通态电流 (It (AV)) (Max)：- 通态电流(It (RMS)) (Max)：8A 栅极触发电压：1.3V 断态电压Vdrm：600V 类型：双向可控硅

手机版：T835-600G-TR