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PEMD12,115

商品型号: PEMD12,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: SOT666

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY749449

数据手册: 在线预览

商品描述: 集电极电流Ic:100mA 额定功率:300mW 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce:50V NPN/PNP,Vceo=50V,Ic=100mA

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 三极管
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
集电极电流Ic 100mA
集射极击穿电压Vce 50V
额定功率 300mW
集电极电流Ic:100mA 额定功率:300mW 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce:50V NPN/PNP,Vceo=50V,Ic=100mA

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PEMD12,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PEMD12,115价格参考¥5.035800。Nexperia(安世)PEMD12,115封装/规格:SOT666,集电极电流Ic:100mA 额定功率:300mW 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 集射极击穿电压Vce:50V NPN/PNP,Vceo=50V,Ic=100mA

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