商品型号： DMHT6016LFJ-13
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： V-DFN5045-12
商品毛重： 0.09g
商品编号： CY046628
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.16W 类型：N沟道(4个)
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道(4个) |
DMHT6016LFJ-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMHT6016LFJ-13价格参考￥5.324500。DIODES(美台)DMHT6016LFJ-13封装/规格：V-DFN5045-12,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14.8A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：22mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.16W 类型：N沟道(4个)
手机版：DMHT6016LFJ-13
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