商品型号： BSP75NTA
制造厂商： DIODES(美台)
封装规格： SOT-223
商品毛重： 0.23g
商品编号： CY816456
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：550mΩ @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 栅源极阈值电压 | - | |
| 类型 | N沟道 |
BSP75NTA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSP75NTA价格参考￥2.135400。DIODES(美台)BSP75NTA封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：- 漏源导通电阻：550mΩ @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道
手机版：BSP75NTA
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