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VB1695

商品型号: VB1695

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: SOT-23-3

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY141361

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.66W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,78mΩ@10V

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.66W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,78mΩ@10V

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VB1695由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VB1695价格参考¥1.488000。VBsemi(台湾微碧)VB1695封装/规格:SOT-23-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:85mΩ @ 1.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.66W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,78mΩ@10V

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