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PMGD280UN,115

商品型号： PMGD280UN,115

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT-363

商品毛重： 0.04g

商品编号： CY140366

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：870mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：340mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
最大功率耗散（Ta=25°C）	400mW
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：870mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：340mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：双N沟道

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PMGD280UN,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMGD280UN,115价格参考￥6.530200。Nexperia(安世)PMGD280UN,115封装/规格：SOT-363,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：870mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：340mΩ @ 200mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：400mW 类型：双N沟道

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