商品型号： PNMT20V3
制造厂商： Prisemi 芯导
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY606004
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟,20V,3A,43mΩ@4.5V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A | |
| 类型 | N沟道 |
PNMT20V3由Prisemi 芯导设计生产,在芯云购商城现货销售,PNMT20V3价格参考￥1.093000。Prisemi 芯导PNMT20V3封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 2.8A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟,20V,3A,43mΩ@4.5V
手机版：PNMT20V3
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