HY1607D 场效应管68V70AN沟道MOS管

商品型号： HY1607D

制造厂商： HUAYI(华羿微)

封装规格： TO-252

商品毛重： 0.49g

商品编号： CY081855

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商品描述： HY1607D 21+ TO-252

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HY1607D 场效应管68V70AN沟道MOS管

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：70A(Tc) 漏源电压（Vdss）：68V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道

HY1607D由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1607D价格参考￥1.300000。HUAYI(华羿微)HY1607D封装/规格：TO-252,HY1607D 21+ TO-252

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