商品型号： VSD013N10MS
制造厂商： Vanguard(威兆)
封装规格： TO-252
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY349960
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：52A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W 类型：N沟道 N沟道 100V 52A
数量
价格
1+
￥8.2266
10+
￥8.191
30+
￥8.1528
100+
￥8.1146
500+
￥8.0764
1000+
￥8.0382
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
VSD013N10MS由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VSD013N10MS价格参考￥8.226600。Vanguard(威兆)VSD013N10MS封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：52A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：78W 类型：N沟道 N沟道 100V 52A
手机版：VSD013N10MS
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