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DMP4025LSD-13

商品型号： DMP4025LSD-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOIC-8_150mil

商品毛重： 0.39g

商品编号： CY087840

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.9A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：双P沟道 P沟道,-40V,-5.8A,25mΩ@-10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.9A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：双P沟道 P沟道,-40V,-5.8A,25mΩ@-10V

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DMP4025LSD-13由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMP4025LSD-13价格参考￥1.326200。DIODES(美台)DMP4025LSD-13封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.9A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：1.8V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：双P沟道 P沟道,-40V,-5.8A,25mΩ@-10V

手机版：DMP4025LSD-13