商品型号： HSM1641
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： SOP-8
商品毛重： 0.11g
商品编号： CY501132
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A,-9A 漏源电压（Vdss）：40V,-40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 5A,10V;32mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.67W 类型：N沟道和P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
HSM1641由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSM1641价格参考￥8.255600。HUASHUO(华朔)HSM1641封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9A,-9A 漏源电压（Vdss）：40V,-40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 5A,10V;32mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.67W 类型：N沟道和P沟道
手机版：HSM1641
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