商品型号： TSP10N60M
制造厂商： Truesemi(信安)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.66g
商品编号： CY459548
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：162W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.4631
10+
￥3.3875
30+
￥3.31
100+
￥3.2325
500+
￥3.155
1000+
￥3.0775
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
TSP10N60M由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSP10N60M价格参考￥3.463100。Truesemi(信安)TSP10N60M封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：800mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：162W 类型：N沟道
手机版：TSP10N60M
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