商品型号： PTW90N20
制造厂商： PIP(丽隽)
封装规格： TO-3P
商品毛重： 7.00g
商品编号： CY124842
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：94A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 56A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：580W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,200V,18m?@10V,94A
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价格
1+
￥8.4301
10+
￥8.3588
30+
￥8.2875
100+
￥8.2162
500+
￥8.1449
1000+
￥8.0736
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￥25.00
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￥38.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 类型 | N沟道 |
PTW90N20由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTW90N20价格参考￥8.430100。PIP(丽隽)PTW90N20封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：94A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 56A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：580W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,200V,18m?@10V,94A
手机版：PTW90N20
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