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PSMN1R5-30YLC

商品型号： PSMN1R5-30YLC

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： LFPAK

商品毛重： 0.30g

商品编号： CY615722

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W 类型：N沟道 N沟道 30V 100A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	100A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W 类型：N沟道 N沟道 30V 100A

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PSMN1R5-30YLC由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN1R5-30YLC价格参考￥4.205500。Nexperia(安世)PSMN1R5-30YLC封装/规格：LFPAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W 类型：N沟道 N沟道 30V 100A

手机版：PSMN1R5-30YLC