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TSF16N65MR

商品型号： TSF16N65MR

制造厂商： Truesemi(信安)

封装规格： TO-220F

商品毛重： 2.60g

商品编号： CY338208

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，16A，0.52Ω

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
栅源极阈值电压	5V @ 250uA
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，16A，0.52Ω

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TSF16N65MR由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSF16N65MR价格参考￥8.119000。Truesemi(信安)TSF16N65MR封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：520mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，650V，16A，0.52Ω

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