商品型号： TSP8N60M
制造厂商： Truesemi(信安)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.67g
商品编号： CY384484
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：152W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.139
10+
￥4.1166
30+
￥4.0942
100+
￥4.0718
500+
￥4.0494
1000+
￥4.0247
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
TSP8N60M由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSP8N60M价格参考￥4.139000。Truesemi(信安)TSP8N60M封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.2Ω @ 3.75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：152W(Tc) 类型：N沟道
手机版：TSP8N60M
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