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FQPF5N50CYDTU

商品型号： FQPF5N50CYDTU

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-220F(TO-220IS)

商品毛重： 2.89g

商品编号： CY970331

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W 类型：N沟道 N沟道,500V,5A,1.4Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	500V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	5A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W 类型：N沟道 N沟道,500V,5A,1.4Ω@10V

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FQPF5N50CYDTU由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQPF5N50CYDTU价格参考￥4.410500。ON(安森美)FQPF5N50CYDTU封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W 类型：N沟道 N沟道,500V,5A,1.4Ω@10V

手机版：FQPF5N50CYDTU