商品型号： TSF18N60MR
制造厂商： Truesemi(信安)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.86g
商品编号： CY687664
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 18A,600V
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1+
￥5.5865
10+
￥5.49
30+
￥5.3935
100+
￥5.297
500+
￥5.198
1000+
￥5.099
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
TSF18N60MR由Truesemi(信安)设计生产,在芯云购商城现货销售,TSF18N60MR价格参考￥5.586500。Truesemi(信安)TSF18N60MR封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：40W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 18A,600V
手机版：TSF18N60MR
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