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4N65KL-TF1-T

商品型号： 4N65KL-TF1-T

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-220F1

商品毛重： 2.31g

商品编号： CY287666

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道

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4N65KL-TF1-T由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,4N65KL-TF1-T价格参考￥4.098400。3PEAK4N65KL-TF1-T封装/规格：TO-220F1,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：36W(Tc) 类型：N沟道

手机版：4N65KL-TF1-T