商品型号： TSJ10N06AT
制造厂商： 无锡紫光微
封装规格： SOP-8
商品毛重： 1.50g
商品编号： CY253185
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.4674
10+
￥3.3917
30+
￥3.316
100+
￥3.237
500+
￥3.158
1000+
￥3.079
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
TSJ10N06AT由无锡紫光微设计生产,在芯云购商城现货销售,TSJ10N06AT价格参考￥3.467400。无锡紫光微TSJ10N06AT封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Tc) 类型：N沟道
手机版：TSJ10N06AT
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