商品型号： VBL1603
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-263
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY715772
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道 N沟道,60V,210A,3mΩ@10V
数量
价格
1+
￥8.1654
10+
￥8.1387
30+
￥8.112
100+
￥8.0853
500+
￥8.0586
1000+
￥8.0293
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
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封装： TO3P
￥25.00
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封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
VBL1603由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBL1603价格参考￥8.165400。VBsemi(台湾微碧)VBL1603封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：12mΩ @ 20A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：375W 类型：N沟道 N沟道,60V,210A,3mΩ@10V
手机版：VBL1603
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