商品型号： 18N20-220
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.76g
商品编号： CY645110
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,13A,10mΩ@10V
数量
价格
1+
￥4.1477
10+
￥4.1235
30+
￥4.0993
100+
￥4.0751
500+
￥4.0509
1000+
￥4.0267
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
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￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | |
| 类型 | N沟道 |
18N20-220由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,18N20-220价格参考￥4.147700。GOFORD(谷峰)18N20-220封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,13A,10mΩ@10V
手机版：18N20-220
20万现货SKU
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