商品型号： BR20N40
制造厂商： BLUE ROCKET(蓝箭)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.74g
商品编号： CY573945
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.4687
10+
￥8.3925
30+
￥8.3163
100+
￥8.2381
500+
￥8.1599
1000+
￥8.0817
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 400V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A | |
| 类型 | N沟道 |
BR20N40由BLUE ROCKET(蓝箭)设计生产,在芯云购商城现货销售,BR20N40价格参考￥8.468700。BLUE ROCKET(蓝箭)BR20N40封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：400V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：400mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：280W 类型：N沟道
手机版：BR20N40
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