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VBL1105

商品型号: VBL1105

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: TO-263

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY513745

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W 类型:N沟道 N沟道,100V,120A,3.5mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W 类型:N沟道 N沟道,100V,120A,3.5mΩ@10V

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VBL1105由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBL1105价格参考¥3.384400。VBsemi(台湾微碧)VBL1105封装/规格:TO-263,连续漏极电流(Id)(25°C 时):110A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):375W 类型:N沟道 N沟道,100V,120A,3.5mΩ@10V

手机版:VBL1105