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VBM2309

商品型号: VBM2309

制造厂商: VBsemi(台湾微碧)

封装规格: TO-220AB

商品毛重: 2.71g

商品编号: CY165574

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.2mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
最大功率耗散(Ta=25°C) 5W
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):60.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.2mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道

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VBM2309由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM2309价格参考¥1.582900。VBsemi(台湾微碧)VBM2309封装/规格:TO-220AB,连续漏极电流(Id)(25°C 时):60.5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:9.2mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):5W 类型:P沟道

手机版:VBM2309