商品型号： VBM2309
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.71g
商品编号： CY165574
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9.2mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥1.5829
10+
￥1.488
30+
￥1.3904
100+
￥1.2928
500+
￥1.1952
1000+
￥1.0976
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5W | |
| 类型 | P沟道 |
VBM2309由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM2309价格参考￥1.582900。VBsemi(台湾微碧)VBM2309封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60.5A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：9.2mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：5W 类型：P沟道
手机版：VBM2309
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监