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PTP02N04N

商品型号： PTP02N04N

制造厂商： PIP(丽隽)

封装规格： TO-220

商品毛重： 2.85g

商品编号： CY378736

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,1.6m?@10V,280A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,1.6m?@10V,280A

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PTP02N04N由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTP02N04N价格参考￥9.099400。PIP(丽隽)PTP02N04N封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,40V,1.6m?@10V,280A

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