商品型号： PTP08N06N
制造厂商： PIP(丽隽)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.85g
商品编号： CY762251
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V
数量
价格
1+
￥5.5568
10+
￥5.4648
30+
￥5.3728
100+
￥5.2808
500+
￥5.1888
1000+
￥5.0944
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￥25.00
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
PTP08N06N由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTP08N06N价格参考￥5.556800。PIP(丽隽)PTP08N06N封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：156W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V
手机版：PTP08N06N
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