商品型号： G20N06J
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： TO-251
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY151822
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.1128
10+
￥7.0962
30+
￥7.0796
100+
￥7.0597
500+
￥7.0398
1000+
￥7.0199
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
G20N06J由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G20N06J价格参考￥7.112800。GOFORD(谷峰)G20N06J封装/规格：TO-251,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：27mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：N沟道
手机版：G20N06J
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