商品型号： PTA28N50
制造厂商： PIP(丽隽)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.95g
商品编号： CY037322
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：210mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：105W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥3.1186
10+
￥3.0998
30+
￥3.081
100+
￥3.0622
500+
￥3.0434
1000+
￥3.0217
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
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￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 类型 | N沟道 |
PTA28N50由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTA28N50价格参考￥3.118600。PIP(丽隽)PTA28N50封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：210mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：105W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：PTA28N50
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