商品型号： VBM2102M
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.66g
商品编号： CY947437
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：167mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：11.7W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥6.395
10+
￥6.2967
30+
￥6.1984
100+
￥6.1001
500+
￥6.0018
1000+
￥6.0009
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | P沟道 |
VBM2102M由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM2102M价格参考￥6.395000。VBsemi(台湾微碧)VBM2102M封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：167mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：11.7W 类型：P沟道
手机版：VBM2102M
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