商品型号： VBM165R12
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.66g
商品编号： CY583952
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.3909
10+
￥5.3263
30+
￥5.2617
100+
￥5.1971
500+
￥5.1325
1000+
￥5.0679
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 漏源导通电阻 | - | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | N沟道 |
VBM165R12由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VBM165R12价格参考￥5.390900。VBsemi(台湾微碧)VBM165R12封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道
手机版：VBM165R12
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