商品型号： HY1804P
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-220FB-3L
商品毛重： 2.85g
商品编号： CY930954
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥6.4929
10+
￥6.3946
30+
￥6.2963
100+
￥6.198
500+
￥6.0997
1000+
￥6.0014
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道 |
HY1804P由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY1804P价格参考￥6.492900。HUAYI(华羿微)HY1804P封装/规格：TO-220FB-3L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.5mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：125W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY1804P
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