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DMN2050LFDB-7

商品型号： DMN2050LFDB-7

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： DFN2020-6

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY272250

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：730mW 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：730mW 类型：双N沟道

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DMN2050LFDB-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN2050LFDB-7价格参考￥6.264800。DIODES(美台)DMN2050LFDB-7封装/规格：DFN2020-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3.3A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：45mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：730mW 类型：双N沟道

手机版：DMN2050LFDB-7