商品型号： VS150N08BT
制造厂商： Vanguard(威兆)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.92g
商品编号： CY884925
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：155A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：259W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 80V 155A
数量
价格
1+
￥6.055
10+
￥6.0462
30+
￥6.0374
100+
￥6.0286
500+
￥6.0198
1000+
￥6.011
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 类型 | N沟道 |
VS150N08BT由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VS150N08BT价格参考￥6.055000。Vanguard(威兆)VS150N08BT封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：155A(Tc) 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：259W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 80V 155A
手机版：VS150N08BT
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