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PTA04N80

商品型号： PTA04N80

制造厂商： PIP(丽隽)

封装规格： TO-220F

商品毛重： 2.95g

商品编号： CY045239

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,800V,3.7?@10V,4A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	800V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,800V,3.7?@10V,4A

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PTA04N80由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTA04N80价格参考￥5.402300。PIP(丽隽)PTA04N80封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,800V,3.7?@10V,4A

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