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PTA08N65

商品型号： PTA08N65

制造厂商： PIP(丽隽)

封装规格： TO-220F

商品毛重： 2.95g

商品编号： CY278989

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,0.85?@10V,8.0A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	650V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,0.85?@10V,8.0A

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PTA08N65由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTA08N65价格参考￥5.165800。PIP(丽隽)PTA08N65封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,0.85?@10V,8.0A

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